一、矢网里面的 if bandwidth 这个按键有什么作用？这个大小会影响测试值
这个值用来设置接收机的中频滤波器带宽，这个值越小，基底噪声越小，但是测量速度变慢；反之，测量速度快，基底噪声大
二、电脑硬件知识
一、看参数识CPU
CPU是Central Processing Unit(中央处理器)的缩写，CPU一般由逻辑运算单元、控制单元和存储单元组成。在逻辑运算和控制单元中包括一些寄存器，这些寄存器用于CPU在处理数据过程中数据的暂时保存。大家需要重点了解的CPU主要指标/参数有：
1.主频
主频，也就是CPU的时钟频率，简单地说也就是CPU的工作频率，例如我们常说的P4(奔四)1.8GHz，这个1.8GHz(1800MHz)就是CPU的主频。一般说来，一个时钟周期完成的指令数是固定的，所以主频越高，CPU的速度也就越快。主频=外频X倍频。
此外，需要说明的是AMD的Athlon XP系列处理器其主频为PR(Performance Rating)值标称，例如Athlon XP 1700+和1800+。举例来说，实际运行频率为1.53GHz的Athlon XP标称为1800+，而且在系统开机的自检画面、Windows系统的系统属性以及WCPUID等检测软件中也都是这样显示的。
2.外频
外频即CPU的外部时钟频率，主板及CPU标准外频主要有66MHz、100MHz、133MHz几种。此外主板可调的外频越多、越高越好，特别是对于超频者比较有用。
3.倍频
倍频则是指CPU外频与主频相差的倍数。例如Athlon XP 2000+的CPU，其外频为133MHz，所以其倍频为12.5倍。
4.接口
接口指CPU和主板连接的接口。主要有两类，一类是卡式接口，称为SLOT，卡式接口的CPU像我们经常用的各种扩展卡，例如显卡、声卡等一样是竖立插到主板上的，当然主板上必须有对应SLOT插槽，这种接口的CPU目前已被淘汰。另一类是主流的针脚式接口，称为Socket，Socket接口的CPU有数百个针脚，因为针脚数目不同而称为Socket370、Socket478、Socket462、Socket423等。
5.缓存
缓存就是指可以进行高速数据交换的存储器，它先于内存与CPU交换数据，因此速度极快，所以又被称为高速缓存。与处理器相关的缓存一般分为两种——L1缓存，也称内部缓存；和L2缓存，也称外部缓存。例如Pentium4“Willamette”内核产品采用了423的针脚架构，具备400MHz的前端总线，拥有256KB全速二级缓存，8KB一级追踪缓存，SSE2指令集。
内部缓存(L1 Cache)
也就是我们经常说的一级高速缓存。在CPU里面内置了高速缓存可以提高CPU的运行效率，内置的L1高速缓存的容量和结构对CPU的性能影响较大，L1缓存越大，CPU工作时与存取速度较慢的L2缓存和内存间交换数据的次数越少，相对电脑的运算速度可以提高。不过高速缓冲存储器均由静态RAM组成，结构较复杂，在CPU管芯面积不能太大的情况下，L1级高速缓存的容量不可能做得太大，L1缓存的容量单位一般为KB。
外部缓存(L2 Cache)
CPU外部的高速缓存，外部缓存成本昂贵，所以Pentium 4 Willamette核心为外部缓存256K，但同样核心的赛扬4代只有128K。
6.多媒体指令集
为了提高计算机在多媒体、3D图形方面的应用能力，许多处理器指令集应运而生，其中最著名的三种便是Intel的MMX、SSE/SSE2和AMD的3D NOW！指令集。理论上这些指令对目前流行的图像处理、浮点运算、3D运算、视频处理、音频处理等诸多多媒体应用起到全面强化的作用。
7.制造工艺
早期的处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的，随着CPU频率的增加，原有的工艺已无法满足产品的要求，这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺。制作工艺越精细意味着单位体积内集成的电子元件越多，而现在，采用0.18微米和0.13微米制造的处理器产品是市场上的主流，例如Northwood核心P4采用了0.13微米生产工艺。而在2003年，Intel和AMD的CPU的制造工艺会达到0.09毫米。
8.电压(Vcore)
CPU的工作电压指的也就是CPU正常工作所需的电压，与制作工艺及集成的晶体管数相关。正常工作的电压越低，功耗越低，发热减少。CPU的发展方向，也是在保证性能的基础上，不断降低正常工作所需要的电压。例如老核心Athlon XP的工作电压为1.75v，而新核心的Athlon XP其电压为1.65v。
9.封装形式
所谓CPU封装是CPU生产过程中的最后一道工序，封装是采用特定的材料将CPU芯片或CPU模块固化在其中以防损坏的保护措施，一般必须在封装后CPU才能交付用户使用。CPU的封装方式取决于CPU安装形式和器件集成设计，从大的分类来看通常采用Socket插座进行安装的CPU使用PGA(栅格阵列)方式封装，而采用Slot x槽安装的CPU则全部采用SEC(单边接插盒)的形式封装。现在还有PLGA(Plastic Land Grid Array)、OLGA(Organic Land Grid Array)等封装技术。由于市场竞争日益激烈，目前CPU封装技术的发展方向以节约成本为主。
二、看参数识主板
主板是所有电脑配件的总平台，所以你在选购或使用主板时首先要了解你的主板其核心功能如何，其能支持何种类型的CPU、内存、显卡、能支持多少数量PCI设备等等。
1.板型
线路板要想在电脑上做主板使用，还需制成不同的板型，下面我们就来给大家简单介绍一下常见的主板板型。AT板型是一种最基本板型，其特点是结构简单、价格低廉，其标准尺寸为33.2cmX30.48cm，AT主板需与AT机箱电源等相搭配使用，而Baby AT是AT架构主板的改进型，它结构布局更为合理，可支持AT/ATX电源，但由于ATX架构的流行其也已没落。
而ATX板型则像一块横置的大AT板，这样便于ATX机箱的风扇对CPU进行散热，而且板上的很多外部端口都被集成在主板上，并不像AT板上的许多COM口、打印口都要依靠连线才能输出。另外ATX还有一种Micro ATX小板型，它最多可支持4个扩充槽，减少了尺寸，降低了电耗与成本。
而NLX板，它比较受品牌机厂商青睐，其外形像是插了一块显示卡的主板，由两个部分构成：一个部分是布有逻辑控制芯片和基本输入输出端口的基板，另一部分具有AGP、PCI、ISA等插槽的附加板则像显示卡一样插在基板的特殊端口中，这样做可以增加空间，拆装方便。
2.核心
主板芯片组是电脑主板的核心，它代表了该主板所具备的主要技术特点。随着采用主板芯片组的不同，各种电脑主板支持的功能也相应不同。例如一款主板采用的是Intel的i845D主板芯片组，i845D主板芯片组与它的前身i845相比其主要变化在于它提供了对主流的DDR内存的支持。其主要特点其主板说明书上有相关介绍“i845D芯片组由I845D芯片和ICH2芯片组成，支持Socket478插座的Pentium4处理器，支持400MHz FSB(前端总线)，支持AGP4X，集成AC97声效，支持ATA100硬盘传输规格。”
3.插座类型
CPU插座就是主板上安装处理器的地方。主流的CPU插座主要有Socket370、Socket 478、Socket 423和Socket A几种。其中Socket370支持的是PIII及新赛扬，CYRIXIII等处理器；Socket 423用于早期Pentium4处理器，而Socket 478则用于目前主流Pentium4处理器。而Socket A(Socket462)支持的则是AMD的毒龙及速龙等处理器。另外还有的CPU插座类型为支持奔腾/奔腾MMX及K6/K6-2等处理器的Socket7插座；支持PII或PIII的SLOT1插座及AMD ATHLON使用过的SLOTA插座等等。
4.支持的内存类型
现在大家主要使用的内存主要有168线的SDRAM和184线的DDR SDRAM内存两种。SDRAM内存，168线，带宽64位，工作电压3.3v，它支持PC66/100/133/150等不同的规范；而DDR内存的主要特点在于它能利用时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，因此不需提高工作频率就可成倍提高DRAM的速度。
现在DDR内存主要有PC1600/PC2100/PC2700/PC3200几种规范。例如一款主板说明书指出其“支持2条184针脚的DDR内存插槽，可以支持2GB的内存容量。”这句话表明了其不支持168线的SDRAM，其具备两根DDR内存插槽可插接两根DDR内存，此外从其它关于DDR的文字中你可看见这款主板只能支持PC1600/PC2100规范的DDR内存。
5.支持的AGP插槽类型
AGP1X(266Mbps)、AGP2X(533Mbps)、AGP4X(1066Mbps)、AGP Pro及AGP通用插槽(1066Mbps)、AGP8X(2133Mbps)等几种显卡插槽都不相同，排在后面的显卡规范插槽一般可以兼容前面的显卡规范插槽，例如AGP4X规范的显卡插槽可以使用AGP2X的显卡，而AGP4X的显卡就不能在AGP2X的显卡插槽上正常使用(注：还有种AGP2X/4X的通用插槽)。
所以，你的主板支持何种显卡类型是你正确选择显卡的关键。例如一款主板采用的是AGP4X插槽，那么你就可以购买AGP1X/2X/4X的显卡在其上正常使用。
三、看参数识硬盘
众所周知，市场上的硬盘主要分为IDE和SCSI两大类。SCSI硬盘有速度快、容量大、使用稳定的特点，是硬盘技术的排头兵，但其价格太贵，主要用于较专业的场合。
而IDE硬盘虽然说在技术水准上尚同SCSI硬盘有一些的差距，但无庸置疑其差距已越来越小，现如今的IDE硬盘同样具有转速快、容量大的特点，而且其价格便宜，已成为家用场合的首选。
而IDE硬盘按其内部盘片直径的大小，又可分为5.25、3.5、2.5和1.8英寸的硬盘等。2.3和1.8英寸盘片直径大小的硬盘主要用于笔记本电脑等设备；5.25和3.5盘片直径的硬盘主要用在台式机上，现在台式机上最常用的就是3.5寸盘片直径大小的硬盘。
1.硬盘的容量
我们在购买硬盘时首先会问，这硬盘是多大的呀？回答：40GB、80GB，就是指的硬盘的容量。它一般指的是硬盘格式化后的容量。硬盘的容量越大越好。
其次，在选择容量时你还可优先选择单碟容量大的产品。单碟容量越大技术越先进而且更容易控制成本。举例来讲，同样是40GB的硬盘，若单碟容量为10GB，那么需要4张盘片和8个磁头，要是单碟容量上升为20GB，那么需要2张盘片和4个磁头，对于单碟容量达40GB的硬盘来说，只要1张盘片和2个磁头就够了，能够节约很多成本及提高硬盘工作稳定性。
2.硬盘的转速
这也是大家比较留心的问题。它是指硬盘内主轴的转动速度。如今市场上的IDE硬盘主要分为5400RPM(转)，7200RPM(转)两种转速。在容量价格都差不多的情况下，可首选转速快的7200转的硬盘产品。
3.硬盘的传输率
硬盘的传输率也是硬盘重要参数之一。它主要指硬盘的外部和内部数据的传输率，它们的单位为Mb/s(兆位/秒)或MB/s(1MB=8Mb)。硬盘的外部传输率(burst data transfer rate)即硬盘的突发数据传输率，它一般指硬盘的数据接口的速率。现在的ATA/66/100/133接口的硬盘的传输率可达66-133MB/S。
而硬盘的内部数据传输率(internal data transfer rate)是指磁头至硬盘缓存间的最大数据传输率，在这方面市场上主流硬盘的最大内部数据传输率一般都可达350Mb/S以上，优秀的硬盘其最大内部数据传输率可达500Mb/S。
4.硬盘的缓存
硬盘的缓存的大小也是硬盘的重要指标之一。硬盘的缓存是指在硬盘内部的高速存储器。如今硬盘采用的缓存类型多为SDRAM，但也有例外的如采用EDO DRAM的。缓存的容量越大越好，它直接关系到硬盘的读取速度，如今的硬盘缓存容量大都是2M，并向8M的更大容量过度。但也有少数只有512K缓存的产品，这点大家需注意。
5.硬盘的磁头
硬盘上采用的磁头类型，主要有MR和GMR两种。GMR巨磁阻磁头已开始取代MR磁头成为硬盘磁头的主流。
MR磁阻磁头，采用的是写入和读取磁头分离式的磁头结构，它是通过阻值的变化去感应信号幅度，对信号的变化相当敏感，使其读取数据的准确性也相应提高，而且由于其读取的信号幅度与磁道宽度无关，因而磁道可以做得很窄，从而就提高了盘片的密度，这就使硬盘的容量能够做得很大。
而GMR磁头同MR磁头相比它使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，它比MR磁头更敏感，因而可以实现更高的存储密度。现在的MR磁头的盘片存储密度可达到3Gbit-5Gbit/in2(每平方英寸每千兆位)，而GMR磁头则可达10Gbit-40Gbit/in2以上。
6.硬盘的寻道时间
硬盘的寻道时间也是了解硬盘的重要参数之一。它主要指硬盘的平均寻道时间(average seek time)，道间寻道时间(single track seek)，最大寻道时间(max full seek)，以及平均等待时间(average latency)等等。它们的单位皆为ms(毫秒)。
硬盘的平均寻道时间，指的是硬盘磁头移动到数据所在磁道时所用的时间，这个数值越小越好，如今IDE硬盘的平均寻道时间大多在9ms以下。而硬盘的道间寻道时间，指的是磁头从一磁道转移至另一磁道的时间，这个时间也是越短越好。
硬盘的最大寻道时间，指的是硬盘磁头从开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间，它的数值也是越小越好，市场上的主流IDE硬盘的最大寻道时间大多在20ms以内。至于硬盘的平均等待时间，是指当磁头移动到数据所在的磁道后，然后等待所要的数据块继续转动到磁头下的时间，它的数值也是越小越好。
四、看参数识显示器
了解液晶显示器主要应从以下几点入手：
亮度/对比度
液晶显示器亮度以平方米烛光(cd/m2)或者nits(流明)为单位，液晶显示器由于在背光灯的数量上比笔记本电脑的显示器要多，所以亮度看起来明显比笔记本电脑的要亮。其亮度普遍在150nits到500nits之间。亮度值高固然表明其产品性能较高。
但需要注意的一点就是，市面上某些低档液晶显示器存在较严重的亮度不均匀的现象，其中心的亮度和边框部分区域的亮度差别比较大。所以大家在选购液晶显示器时更应看重亮度的均匀度，也就是该产品的显示效果无论是屏幕中央还是四边要求亮度均匀，四边无明显偏暗的现象，这一点对大家选购液晶显示器时需重点注意。
而对比度是直接体现该液晶显示器能否体现丰富的色阶的参数，对比度越高，还原的画面层次感就越好，即使在观看亮度很高的照片时，黑暗部位的细节也可以清晰体现，目前市面上的液晶显示器的对比度普遍在150:1到350:1间，高端的液晶显示器还更高。在价格差不多的情况下大家应首先考虑选择对比度较高的产品。
可视角度
由于LCD是采用光线透射来显像，因此存在视角问题，所以普通LCD有一个缺点就是可视角度小。在LCD中，直射和斜射的光线都会穿透同一显示区的像素，所以从大于视角以外的角度观看屏幕时会发现图像有重影和变色等现象。因此，可视角度是指可清晰看见LCD屏幕图像的最大角度，可视角是越大越好。
通常，LCD的可视角度都是左右对称的，但上下可就不一定了。目前市面上的15寸液晶显示器的水平可视角度一般在120度或以上，而垂直可视角度则比水平可视角度要小得多，普遍水平是上下不对称共95度或以上。
响应时间
讯号响应时间是指像素由亮转暗再由暗转亮所需的时间。响应时间反应了液晶显示器各像素点对输入信号反应的速度，此值越小越好，以前大多数LCD显示器的反应时间介于20至100ms之间，不过现在的新型机种可以做到20ms以内。响应时间越小，运动画面才不会使用户有尾影的感觉。
判断的简单方法是将鼠标快速移动，在一般低档次的液晶显示器上，光标在快速移动时，过程中会消失不见，直到鼠标定位，不再移动后一小段时间，才会再度出现；而在一般速度动作时，移动过程亦会清楚的看到鼠标移动痕迹。这些对于你在玩动作或3D游戏或看VCD时影响很大，讯号反应慢的液晶显示器将出现很明显的图像拖尾，“鬼影”等现象，严重影响显示效果。大家在选购时除了看产品说明书或宣传单上给出的指标外，实际的测试是最重要的。
尺寸
显示器的尺寸是显像管对角线的长度，其单位是英寸(1英寸=2.539厘米)，而LCD的尺寸和CRT显示器的不同，其尺寸一般为真实显示尺寸，目前市面上液晶显示器的主要尺寸有13.3、14、15、17、18英寸等，液晶显示器价格主要决定于液晶屏的尺寸。
分辨率
LCD与CRT显示器不同，其具有固定的分辨率，只有在指定使用的分辨率下其画质才最佳，在其它的分辨率下可以以扩展或压缩的方式，将画面显示出来。
在显示小于最佳分辨率的画面时，液晶显示采用两种方式来显示，一种是居中显示，比如在显示800*600次分辨率时，显示器就只是以其中间那800*600个像素来显示画面，周围则为阴影，这种方式由于信号分辨率是一一对应，所以画面清晰，唯一遗憾就是画面太小。
另外一种则是扩大方式，就是将该800*600的画面通过计算方式扩大为1024*768的分辨率来显示，由于此方式处理后的信号与像素并非一一对应，虽然画面大，但也造成了影像的扭曲现象，清晰度和准确度会受到影响。目前市面上的14寸/15寸的液晶显示器的最佳分辨率都是1024*768，17寸的最佳分辨率则是1280*1024。
五、看参数识内存
有了内存芯片，再加上不太复杂的工艺制造，许多稍有实力的厂家就可生产出成品的内存来了，除此而外，大家无论是在选购或使用内存时还应了解。
1.工作频率
内存的工作频率即该内存的标准规范。例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。
如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。
而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍！如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。
2.CAS值
大家知道，内存有个CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行(Column)和列(Row)来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。
对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家(可实际使用或用内存测试软件进行测试)。
3.内存的标示常识
此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解：
HY XX X XX XX XX X X X X X-XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
1：代表HY的厂标
2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS
3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V；U:CMOS，2.5V
4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref；66:64MB，2kref；28:128MB，4kref；56:256MB，8kref；12 :512MB，8kref
5: 芯片结构(数据宽度)—4：X4(数据宽度4bit)；8:x8；16:x16；32:x32
6：BANK数量—1:2BANKs；2:4BANKs
7：I/O界面—1:SSTL_3；2:SSTL_2
8：芯片内核版本—空白:第一代；A:第二代；B:第三代；C:第四代
9：能量等级—空白:普通；L:低能耗
10：封装形式—T:TSOP；Q:TQFP；L:CSP(LF-CSP)；F:FBGA
11：工作速度—33:300MHz；4:250MHz；43:233MHz；45:222MHz；5:200MHz；55:183MHz；K:DDR266A；H:DDR266B；L:DDR200
六、看参数识显卡
1.核心频率
显卡的核心频率即显卡的默认工作频率，其数值一般越高越好。例如ATI的RV250(Radeon9000/9000Pro)，它们使用0.18微米制造工艺，可处理高达10亿像素/s的四条并行渲染管线。Radeon 9000和9000 Pro除了核心频率有所不同外，其它特征完全相近。Radeon 9000 配备了核心频率250MHz GPU和400MHz DDR显存(200MHz*2)，而9000 Pro的核心/显存频率为275MHz/550MHz DDR(275MHz*2)，所以后者的性能更高。
2.关于显存
显存是影响显卡性能的最重要因素之一。
显存的容量
说到显存，大家肯定能够说出这块显卡是16M的，那块是32M的显卡等等，这些指的都是显存的容量。显存就好像一个大仓库，里面存放着数据信息，包括帧缓冲、Z缓冲和纹理缓冲，这些都要占据显存的容量，并且随着画面分辨率和色深提高而增大，因此显存容量大小影响着显卡的性能。
显存的速度
显存速度就是指显存的工作频率，在显存颗粒上用纳秒表示，一般有6ns、5ns、4ns、3.5ns、3ns等等，显存工作频率=1/显存速度，例如5ns显存工作频率=1/5ns=200MHz。
显存的位宽和带宽
大家知道，显存中的信息并不是静态的，其需要不断的和显卡核心(GPU或VPU)进行数据交换，这就涉及到了显存位宽的概念。显存位宽就是指显存颗粒与外部进行数据交换的接口位宽，一般有8bit、16bit、32bit等等。
而显存带宽就是显存每秒钟提供最大的数据交换量。我们知道，显卡GPU计算后的数据要和显存之间做数据交换，因此如果显存带宽不够高，就会严重影响显卡的性能。而显存带宽由显存位宽和显存频率以及显存颗粒数共同决定，即显存带宽=显存位宽X显存频率X显存颗粒数/8。
如一款GeForce MX440SE显卡采用了hynix 4ns DDR SDRAM显存，编号为HY5DV“64”“16”22AT，从编号上看这是64兆位的显存颗粒，单颗的带宽是16位，如果其使用了八颗显存芯片，那么它的显存容量就是64兆，而显存带宽就是16X8=128位DDR；而如果它只使用了四颗显存芯片，那么它的显存容量就是32兆，而显存带宽就是16X4=64位DDR。
3.像素填充率
像素填充率是我们在选购显示卡时经常听到的一个词。什么是像素填充率呢？像素填充率即每秒钟显示芯片/卡能在显示器上画出的点的数量。
举例来说，如果你将屏幕分辩率高在800X600。则在屏幕上构成每幅图像均需800X600=480000像素。再以每项秒钟屏幕刷新60次算，在此分辩率下所需的最小像素填充率即为60X800X600=两千八百八十万像素/秒。例如GeForce4 Ti 4600其像素填充率为1.2GB/sec，而GeForce4 Ti 4200其像素填充率为900MB/sec，而GeForce4 MX 440其像素填充率只有540MB/sec，所以前者的性能要比后两者的高。
4.多边形生成率
多边形生成率也令我们耳熟能详。多边形生成率即3D芯片/卡每秒能画出多少骨架(三角形)。由于3D贴图，效果渲染都需要在这些骨架上进行。所以多边形生成率越高，3D芯片/卡能提供的画面越细腻。不过， 这些多边形在由3D卡处理前是必须通过CPU进行计算，然后再传给3D卡的。
这样只有几何浮点处理能力够强的CPU才可能及时完成计算并将这些数据传回给3D卡。要是CPU速度慢一点就会影响到3D画面的速度。换句话说，3D芯片的多边形生成率越高，3D芯片的3D处理能力就越强，但对CPU的3D计算要求也越高。例如GeForce4 Ti 4200支持全部GeForce4 Ti核心的特效核心技术，其区别仅仅在于频率以及由于频率差别所产生的填充率、多边形生成率要比GeForce4 Ti 4600差。
七、看参数识光驱
1.速度
速度是大家在选购光驱时最关心的话题。对于CD-ROM而言，其速度一般为48-54倍速，当然已有70速以上的光驱出现，但感觉意义不大。对DVD光驱而言，虽然如今主流DVD光驱只有16倍速左右，但从理论上来讲DVD-ROM一倍速是1358KB/SEC，CDROM是150KB/SEC，这么说来DVDROM一倍速就等于CDROM的9倍。
而对于刻录机而言更应关心其烧录速度。例如两款52速刻录机，一款烧录速度为16倍速一款为24倍速，当然是优选后者了。
2.缓存
无论是对于CD-ROM、CDR/RW还是DVD-ROM，在选购时大家还要注意的一点就是，缓存是一个很重要的东东，同硬盘一样，光驱的数据缓存容量的大小也直接影响其整体性能，缓存容量越大，它的CACHE的命中率就越高。特别是对于CDR/RW而言，大缓存是保证刻录机刻录稳定性的一个十分重要的因素，大容量的缓存可以使刻录机在刻录时在较长时间内数据的正常供应，以免意外的数据中断，造成废盘。
目前的主流CD-ROM的缓存容量多在128K，DVD-ROM的缓存容量则多在512K，而主流刻录机缓存大多在2M左右，也有少数刻录机采用了8M缓存的，一般来说上述几个缓存容量已是各种光驱缓存中能确保光驱稳定使用的最佳值，大家在选购时只需注意光驱缓存的容量不要低于此即可。
3.多格式支持
光驱能支持的光盘种类(格式)越多肯定越好。例如对于DVD光驱而言多格式支持就是指该DVD光驱能支持和兼容读取多少种碟片的问题，一般来说，一款合格的DVD光驱除了要兼容DVD-ROM、DVD-VIDEO、DVD-R、CD-ROM等常见的格式外，对于CD-R/RW、CD-I、VIDEO-CD、CD-G等都要能很好的支持，当然是能支持的格式越多越好。
补充：你说的5000+只是型号，不代表什么，型号越大产品越新，当然功能越强，比如5000+比4000+就好，但也不一定。intel和AMD的标识也不一样。现在的AMD有4000+，5000+，5400+等，intel的有E1400，E2200，E5200等
三、电压测量法和电流测量法是二极管的测量方法嘛?回答题
二极管如何测量_各种二极管测量方法
二极管如何测量_各种二极管测量方法
一. 二极管测量方法_普通二极管的检测 （检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个pn结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 1．极性的判别 将万用表置于r×100档或r×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 2．单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1k 左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 k 左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“npn/pnp”选择键设置为npn，再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内，负极测试表的“e”插孔，按下“v（br）”键，测试表指示出二极管的反向击穿电压值。 也兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极，用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71，摇动兆欧表手柄（应由慢加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。 二. 二极管测量方法_稳压二极管的检测1．正、负电极的判别 从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管，即用万用表r×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 2．稳压值的测量 用0~30v连续可调直流电源， 13v以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15v，将电源正极串接1只1.5k 限流电阻后与被测稳压二极管的负极接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15v，则应将稳压电源调至20v。 也低于1000v的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定），待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。 若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低，则说明该二极管的性不稳定。 图4-72是稳压二极管稳压值的测量方法。 三. 二极管测量方法_双向触发二极管的检测 1．正、反向电阻值的测量 用万用表r×1k或r×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。 2．测量转折电压 测量双向触发二极管的转折电压有三种方法。 第一种方法是：将兆欧表的正极（e）和负极（l）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（为3~6v）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。 第二种方法是：先用万用表测出市电电压u，将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值u1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值u2。 若u1与u2的电压值，但与u的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性。若u1与u2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若u1、u2电压值均与市电u相，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若u1、u2的电压值均为0v，则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。 （U-U1就是转折电压） 第三种方法是：用0~50v连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20k 电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1ma档）后与双向触发二极管的另一端相接。电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安），则说明此双向触发二极管已导通，电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。 图4-73是双向触发二极管转折电压的检测方法。 四. 二极管测量方法_发光二极管的检测 1．正、负极的判别 将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小，通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。 2．性能好坏的判断 用万用表r×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20k ，反向电阻值为250k ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表r×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是发光二极管的正向压降大于1.6v（高于万用表r×1k档内电池的电压值1.5v）的缘故。 用万用表的r×10k档对一只220 f/25v电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。 也3v直流电源，在电源的正极串接1只33 电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节1.5v电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于r×10或r×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5v电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。 五. 二极管测量方法_红外发光二极管的检测 1．正、负极性的判别 红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅盘，管内电极宽大的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。 2．性能好坏的测量 用万用表r×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40k （此值越小越好）；反向电阻大于500k （用r×10k档测量，反向电阻大于200 k ）。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500k ，则说明该二极管已漏电损坏。 六. 二极管测量方法_红外光敏二极管的检测 将万用表置于r×1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10 k 左右，反向电阻值为500 k 。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。 在测量红外光敏二极管反向电阻值的，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口（见图4-75）。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500 k 减小至50~100 k 。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。 七. 二极管测量方法_其他光敏二极管的检测 1．电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，用万用表r×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在10~20k ，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏。 再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，观察其正、反向电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。 2．电压测量法 将万用表置于1v直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4v电压（其电压与光照强度成正比）。 3．电流测量法 将万用表置于50 a或500 a电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极，正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的，其电流从几微安增大至几百微安。 八. 二极管测量方法_激光二极管的检测 1．阻值测量法 拆下激光二极管，用万用表r×1k或r×10k档测量其正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为20~40k ，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向电阻值已超过50k ，则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90k ，则说明该二极管已严重老化，不能再使用了。 2．电流测量法 用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降，再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值，当电流超过100ma时，若调节激光功率电位器（见图4-76），而电流无明显的变化，则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。 九. 二极管测量方法_变容二极管的检测 1．正、负极的判别 有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极。 也用数字万用表的二极管档，通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管，在测量其正向电压降时，表的读数为0.58~0.65v；测量其反向电压降时，表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时，红表笔接的是变容二极管的正极，黑表笔接的是变容二极管的负极。 2．性能好坏的判断 用指针式万用表的r×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管，其正、反向电阻值均为∞（无穷大）。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有阻值或均为0，则是该二极管漏电或击穿损坏。 十. 二极管测量方法_双基极二极管的检测 1．电极的判别 将万用表置于r×1k档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极的正、反向电阻值均为2~10k ，这两个电极即是基极b1和基极b2，另一个电极即是发射极e。再将黑表笔接发射极e，用红表笔依次去接触两个电极，会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中，红表笔接的是基极b2，另一个电极即是基极b1。 2．性能好坏的判断 双基极二极管性能的好坏通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表r×1k档，将黑表笔接发射极e，红表笔依次接两个基极（b1和b2），正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极e，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。 双基极二极管两个基极（b1和b2）的正、反向电阻值均为2~10k 范围内，若测得某两极的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。 十一. 二极管测量方法_桥堆的检测 1．全桥的检测 大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很确定出各电极。 检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法）是否正常，判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。 2．半桥的检测 半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，判断出该半桥是否正常。 十二. 二极管测量方法_高压硅堆的检测 高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，万用表的r×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200k ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。 十三. 二极管测量方法_变阻二极管的检测 用万用表r×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5~6k ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。 十四. 二极管测量方法_肖特基二极管的检测 二端型肖特基二极管用万用表r×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5~3.5 ，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。 三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。
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四、io 性能指标及其基准测试
主要有2个：
IOPS 与吞吐量的关系：每秒 I/O 吞吐量＝ IOPS* 平均 I/O SIZE。
从公式可以看出： I/O SIZE 越大，IOPS 越高，那么每秒 I/O 的吞吐量就越高。因此，我们会认为 IOPS 和吞吐量的数值越高越好。实际上，对于一个磁盘来讲，这两个参数均有其最大值，而且这两个参数也存在着一定的关系。
对于机械磁盘来说一个完整的IO操作是这样进行的：
当控制器对磁盘发出一个IO操作命令的时候，磁盘的驱动臂(Actuator Arm)带读写磁头(Head)离开着陆区(Landing Zone，位于内圈没有数据的区域)，移动到要操作的初始数据块所在的磁道(Track)的正上方，这个过程被称为寻址(Seeking)，对应消耗的时间被称为寻址时间(Seek Time);
但是找到对应磁道还不能马上读取数据，这时候磁头要等到磁盘盘片(Platter)旋转到初始数据块所在的扇区(Sector)落在读写磁头正上方的之后才能开始读取数据，在这个等待盘片旋转到可操作扇区的过程中消耗的时间称为旋转延时(Rotational Delay);
接下来就随着盘片的旋转，磁头不断的读/写相应的数据块，直到完成这次IO所需要操作的全部数据，这个过程称为数据传送(Data Transfer)，对应的时间称为传送时间(Transfer Time)。
完成这三个步骤之后一次IO操作也就完成了。
所以，我们看硬盘厂商的宣传单的时候我们经常能看到3个参数，分别是：
这三个参数就可以提供给我们计算上述三个步骤的时间：
第一个寻址时间，考虑到被读写的数据可能在磁盘的任意一个磁道，既有可能在磁盘的最内圈(寻址时间最短)，也可能在磁盘的最外圈(寻址时间最长)，所以在计算中我们只考虑平均寻址时间。
第二个旋转延时，和寻址一样，当磁头定位到磁道之后有可能正好在要读写扇区之上，这时候是不需要额外额延时就可以立刻读写到数据，但是最坏的情况确实要磁盘旋转整整一圈之后磁头才能读取到数据，所以这里我们也考虑的是平均旋转延时。
第三个传送时间，磁盘参数提供我们的最大的传输速度，当然要达到这种速度是很有难度的，但是这个速度却是磁盘纯读写磁盘的速度，因此只要给定了单次 IO的大小，我们就知道磁盘需要花费多少时间在数据传送上，这个时间就是IO Chunk Size / Max Transfer Rate。
现在我们就可以得出这样的计算单次IO时间的公式：
于是我们可以这样计算出IOPS：
FIO是测试IOPS的非常好的工具。
常用参数：
测试用例：
五、摇表检测数据大好还是小好？
摇表，是为了避免事故发生，用于测量各种电器设备的绝缘电阻的兆欧级电阻表。测量阻值越小串在测量回路中的线圈电流就越大，那么指针偏转的角度越大。
使用方法
1.测量前，应将兆欧表保持水平位置，左手按住表身，右手摇动兆欧表摇柄，转速约120r/min，指针应指向无穷大（∞），否则说明兆欧表有故障。
2.测量前，应切断被测电器及回路的电源，并对相关元件进行临时接地放电，以保证人身与兆欧表的安全和测量结果准确。
3.测量时必须正确接线。兆欧表共有3个接线端（L、E、G）。测量回路对地电阻时，L端与回路的裸露导体连接，E端连接接地线或金属外壳；测量回路的绝缘电阻时，回路的首端与尾端分别与L、E连接；测量电缆的绝缘电阻时，为防止电缆表面泄漏电流对测量精度产生影响，应将电缆的屏蔽层接至G端。
4.兆欧表接线柱引出的测量软线绝缘应良好，两根导线之间和导线与地之间应保持适当距离，以免影响测量精度。
5.摇动兆欧表时，不能用手接触兆欧表的接线柱和被测回路，以防触电。
6.摇动兆欧表后，各接线柱之间不能短接，以免损坏。
7.摇动兆欧表后,时间不要久。
注意事项
1、禁止在雷电时或高压设备附近测绝缘电阻，只能在设备不带电，也没有感应电的情况下测量。
2、摇测过程中，被测设备上不能有人工作。
3、 测量设备的绝缘电阻时，必须先切断设备的电源。对含有电感、电容的设备（如电容器、变压器、电机及电缆线路），必须先进行放电。非值班人员应办理相应的工作票方可工作。
4、 摇表应水平放置，未接线之前，应先摇动摇表，观察指针是否在“∞”处。再将L和E两接线柱短路，慢慢摇动摇表，指针应在零处。经开、短路试验，证实摇表完好方可进行测量。
5、 摇表的引线应用多股软线，且两根引线切忌绞在一起，以免造成测量数据不准确。
6、 摇 表测量完毕，应立即使被测物放电，在摇表未停止转动和被测物未放电之前，不可用手去触及被测物的测量部位或进行拆线，以防止触电。
7、 被测物表面应擦试干净，不得有污物（如漆等）以免造成测量数据不准确。
8、测量结束时，对于大电容设备要放电。
9、要定期校验其准确度。
仪器检测
测量前检测仪表是否正常A、开机检查显示，正常显示OL；B、看档位是否可以正常转换（一般都有档位选择即电压选择）C、按下测试键检查有无相应电压输出，方法：用一台普通万用表选择直流电压最高档位，然后将表笔插入兆欧表输出端，按下兆欧表测试键观测万用表上有无相应电压值的显示；
测量检测
测量前准备工作完成后进入实地测量A、如果测量时显示OL，有可能被测电阻超出仪表测量范围可以转换档位（MΩ、GΩ，根据仪表本身功能配置来定）；B、仪表没有电压输出无法测试，可根据第一款中相关介绍进行检测；
电子兆欧表多采用倍压电路，五号电池或者九伏电池供电工作时所需供电电流较大，故在不使用时务必要关机（即便有自动关机功能的建议用完后就手动关机）。
基本原理
采用磁电系比率型测量机构。
绝缘电阻测试仪，又称兆欧表、摇表、梅格表。绝缘电阻表主要由三部分组成。第一是直流高压发生器，用以产生一直流高压。第二是测量回路。第三是显示。
发生高压
测量绝缘电阻必须在测量端施加一高压，此高压值在绝缘电阻表国标中规定为50V、100V、250V、500V、1000V、2500V、5000V…
直流高压的产生一般有三种方法。第一种手摇发电机式。目前我国生产的兆欧表约80%是采用这种方法（摇表名称来源）。第二种是通过市电变压器升压，整流得到直流高压。一般市电式兆欧表采用的方法。第三种是利用晶体管振荡式或专用脉宽调制电路来产生直流高压，一般电池式和市电式的绝缘电阻表采用的方法。
测量回路
在前面讲的摇表（兆欧表）中测量回路和显示部分的合二为一的。它是有一个流比计表头来完成的，这个表头中有两个夹角为60°（左右）的线圈组成，其中一个线圈是并在电压两端的，另一线圈是串在测量回路中的。表头指针的偏转角度决定于两个线圈中的电流比，不同的偏转角度代表不同的阻值，测量阻值越小串在测量回路中的线圈电流就越大，那么指针偏转的角度越大。另一个方法是用线性电流表作为测量和显示。前面用到的流比计表头中由于线圈中的磁场是非均匀的，当指针在无穷大处，电流线圈正好在磁通密度最强的地方，所以尽管被测电阻很大，流过电流线圈电流很少，此时线圈的偏转角度会较大。当被测电阻较小或为 0时，流过电流线圈的电流较大，线圈已偏转到磁通密度较小的地方，由此引起的偏转角度也不会很大。这样就达到了非线性的矫正。一般兆欧表表头的阻值显示需要跨几个数量级。但当用线性电流表头直接串入测量回路中就不行了，在高阻值时的刻度全部挤在一起，无法分辨，为了也要达到非线性矫正就必须在测量回路中加入非线性元件。从而达到在小电阻值时产生分流作用。在高电阻时不产生分流，从而使阻值显示达到几个数量级。
六、CMMB终端系统测试具体要测试哪些东西或测试哪些参数
SFU和SFE100或SFE配合后可以完全替代图1左侧的功能模块，内部高度精确的信号互连确保了测试的一致性和最大精确度。
SFU可以实现如下CMMB测试功能：内部发生CMMB PMS流或接收外部输入的CMMB复用流；对接收到的或发生的PMS流进行实时信道编码；实现20/40路衰减模拟(包括高精度衰减模拟)；在信道加入多种噪声(高斯、相位和脉冲以及混合)；输出和输入IQ信号；进行IQ失真模拟；实现频率和电平的精确控制，同时满足宽的测试范围；在内部以ARB方式产生CMMB非实时信号(利用ARB播放器)；BER环回测试；与SFE/SFE100配合实现所有的数字同邻频干扰测试、单频干扰测试和模拟同邻频干扰测试。
此外，利用SFU进行CMMB测试的操作非常简单，各个参数设置一目了然。如图4，所有跟CMMB相关的参数可以直接从左边树图选择，设置非常快捷。
需要特别说明的是，SFU内部可以产生ARB模式CMMB信号，因此利用图4所示的GUI左边树图的INTERFERER选项可以实现数字同邻频干扰测试。如果配合SFU的预设模拟信号选件，还可以进行模拟同邻频干扰测试，而无需SFE/SFE100的支持。当然，SFE/SFE100未来还可以支持其它任何数字标准的测试，不仅局限于CMMB标准。
图4：R&S SFU CMMB设置界面。
2．系统优势
R&S SFU/SFE(SFE100)构成的测试系统具备如下的优势：
a. 测试系统紧凑，避免了不必要的损耗和干扰；
b. 测试功能相当完善，一到两台的独立设备即可实现几乎所有的CMMB功能测试；
c. 基于实时信号发生和实时信道模拟，最大可能地逼近现实应用，是最成熟的测试方案；
d. R&S SFU功能齐全、稳定性高，而且测试精度高；
e. 整个系统面向未来，升级新功能方便快捷，支持全球几乎所有广播电视标准。
3．经济型解决方案
R&S公司的经济型CMMB测试系统如图5所示。
图5：SFE/SFE100经济型CMMB测试系统。
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与CMMB高级测试系统相比，该系统最大的不同在于将广播电视测试系统SFU改换为广播电视测试仪SFE，利用SFE100实现同邻频干扰和单频干扰测试。
由于SFE具备的功能比SFU少，因此该测试方案能完成的主要测试任务较SFU少，主要包括：灵敏度测试；载波频率偏差测试；C/N测试；信道参数测试；同邻频干扰测试；单频干扰测试；BER测试。虽然该系统无法完成所有测试，但是可以完成一个CMMB接收机所应测试的主要指标，包括灵敏度、C/N和同邻频干扰等。
CMMB简要功能验证测试
在一些简单的应用场合，只需要测试CMMB接收机能否收到一个正常的信号，解调解码输出图像和声音。这时只需要进行功能验证测试。对此R&S公司提供了最灵活的解决方案(图6)。
图6：R&S公司CMMB功能验证测试方案。
无论是广播电视测试系统SFU、广播电视测试仪SFE、测试发射机SFE100，还是手机综测仪CMW500和通用信号源SMU/SMJ系列，它们都可以产生CMMB信号，可以测试CMMB芯片、高频头、整机以及电脑用接收器等CMMB产品。
需要说明的是，SFU、SFE和SFE100既可以实时发生CMMB信号，也可以利用ARB播放器发生CMMB信号，并提供CMMB码流库。CMW500和SMU/SMJ系列产品，还具有基于ARB播放器的CMMB发生功能。手机厂商和研究单位可以充分利用现有的测试设备实现CMMB功能验证测试。
CMMB生产线测试
除了研发/质量认证和功能性测试之外，CMMB生产线的测试也是不容忽视的部分。CMMB终端在上市之前必须经过CMMB验证测试方可通过审核。CMMB终端生产企业可能会设置几个固定的CMMB功能测试台。针对这些测试平台，R&S公司提供了多种可供选择的测试方案。
如图7所示，可以利用单独的测试发射机SFE100，或者利用CMW500、SMU/SMJ系列信号源来发生CMMB信号，也可以利用R&S公司推出的完整集中信号源来实现CMMB生产线测试信号。利用独立设备的测试方式比较多是用在小批量生产环节，而利用集中信号源的测试方式则是在大规模生产时需要考虑的。利用集中信号源可以构建一个完整的CMMB信号供给网络，为每个需要测试CMMB功能的测试平台提供所需的测试信号，而这一切可以通过R&S公司免费的控制软件遥控来实现。
图7：CMMB生产线测试方案。
如图8所示，即为SFE100构建的集中信号源框图，我们可以通过遥控软件设置各个频道，可以对信号进行放大，耦合后传输给各个测试工位，从而最大程度节省成本，实现高质量的CMMB信号传输。
图8：SFE100集中信号源的结构框图。
本文小结
本文介绍了CMMB的基本测试参数和测试要求，并针对CMMB的具体应用提出了三大类型的CMMB测试需求。针对这三类主要的测试要求，本文还详细地介绍了R&S公司推出的测试方案。从芯片、器件到半成品和成品的每个阶段，R&S公司都推出了对应的测试方法和设备，满足不同层面的需求。
“助力广电行业发展”一直是R&S公司不懈努力的目标，相信R&S公司的CMMB测试方案顺应了CMMB行业发展的方向，除了满足CMMB测试的直接需求外，一定会带来巨大的附加值。
一、CMMB的特点
2006年10月，国家广播电视总局正式颁布了中国移动多媒体广播标准CMMB，确定采用我国自主研发的移动电视接收标准STiMi。它是具有自主知识产权的第一套主要面向小屏幕手持式终端设备（MP4、手机、GPS、PDA、USB接收棒、独立接收机、车载电视等）提供数字广播电视节目、综合信息和紧急广播服务，利用S波段卫星信号传输与地面网络相结合的无缝协同覆盖。
CMMB的主要特点有：
⊙采用先进的编码、压缩、调制等数字技术，具有移动接收、高效省电的技术特点。
⊙面向终端广泛、可满足人们随时随地接收视频、音频、数据等多媒体业务。
⊙CMMB技术具有图像清晰流畅、组网方便灵活、支持多种业务等特点，多项技术达到国际先进水平。
⊙CMMB技术组网简单、建网成本低，易于迅速普及。
⊙CMMB系统具备广播式、双向式服务功能，可提供数字广播电视节目、综合信息和紧急广播等多种服务。
⊙具备加密授权控制管理体系，中央和地方相结合，统一标准、统一运营，支持用户全国漫游。
⊙借助卫星通信，能很好地解决移动终端（手机电视）信号流畅的问题。
⊙CMMB具有丰富的电视内容资源，兼顾国家媒体信息发布功能。
⊙经济实用，收费低廉，CMMB只向用户收取由CMMB提供的付费类节目服务费，还提供部分公益类免费广播电视节目服务。
⊙CMMB终端都没有增加辐射。
二、CMMB技术
1．技术路线
根据CMMB系统的技术体制、总体架构及体系结构，CMMB的技术路线是：
⊙采用卫星和地面网络相结合的方式实现“天地一体”协同覆盖，信道传输采用STiMi技术。
⊙全国节目通过S波段卫星实现覆盖，卫星遮挡地区可采取地面同频增补方式，在城市人口密集区域采用U波段增补。
⊙地方节目采用U波段地面网络实现覆盖。
⊙电视业务视频压缩编码采用AVS、H.264/AVC，伴音压缩编码采用MPEG-4 HE AAC；广播业务音频压缩编码采用DRA。
⊙数据广播采用可扩展的多协议封装复用传输，支持流模式、文件模式传输。
⊙加密授权系统对音视频流和数据广播流采用ISMACryp进行加扰，系统前端支持同密，终端采用多密，系统支持单向、双向和基于电子钱包的授权管理方式。
⊙运营支撑系统原则上采用两级架构体系，对内容统一加密，统一管理，支持公共服务、基本服务和扩展服务，实现各类终端用户的合法注册。
2．提供的服务
根据CMMB的特点和业务发展需要，CMMB业务平台主要由公共服务、基本业务、扩展业务等三个平台构成。
⊙公共服务平台是向用户提供公益服务的CMMB业务平台，主要由公益类广播电视节目和政务信息、紧急广播信息构成。CMMB公共服务平台播出的内容和开展的业务，为向合法用户提供的无偿服务。
⊙基本业务平台是向用户提供基本数字音视频广播服务和数据服务的业务平台，包括卫星平台和地方平台传送的数字音视频广播服务和数据服务等有偿服务。
⊙扩展业务平台是根据用户不同消费需求向用户提供扩展广播电视节目服务和综合信息服务的业务平台。提供的服务主要有经营类的广播电视付费节目、经营类的音视频点播推送服务、综合数据信息服务、双向交互业务四个方面。目前，CMMB主要以音视频服务为主，扩展服务中综合信息、双向交互等服务将随着业务的发展逐渐推广应用。CMMB扩展业务平台提供的服务为有偿服务。CMMB提供的广播电视节目套数，与信道带宽、调制参数、音视频编码码率等因素有关，具体节目数量与节目内容根据各地情况具体确定。
3．信号覆盖方式
CMMB采用“天地一体”的技术体系，即利用大功率S波段卫星覆盖全国100%国土、利用地面覆盖网络进行城市人口密集区域有效覆盖、利用双向回传通道实现交互，形成单向广播和双向互动相结合、中央和地方相结合的无缝覆盖的系统。
在CMMB的系统构成中，CMMB信号主要由S波段卫星覆盖网络和U波段地面覆盖网络实现信号覆盖。S波段卫星通过广播信道和分发信道实现全国范围的CMMB信号的有效覆盖。广播信道用于直接接收，Ku波段上行，S波段下行；分发信道用于地面增补转发接收，Ku波段上行，Ku波段下行，由地面增补网络转发器转为S波段发送到CMMB终端。为实现城市人口密集区域CMMB信号的有效覆盖，采用U波段地面无线发射构建城市U波段地面覆盖网络。地面增补网与卫星系统同步的关键是，确保S波段卫星信号到达接收终端的时间与S波段地面增补设备转发信号到达接收终端的时间一致。
CMMB的U波段地面覆盖网络采用单发射台站覆盖或单频网覆盖两种覆盖方式，实现中央节目和地方节目的集成播出。
（1）单发射台站。对于城区面积较小、楼宇密度较低、地势较平坦的地区，单个发射台站可完成基本覆盖要求的，采用单个发射台站以及同频转发器补充覆盖的建设方式。在单发射台站覆盖方式中，主发射塔发射U波段CMMB信号完成覆盖地区的基本覆盖，各个同频转发器接收到主发射塔的信号放大后以同样的频率发射，完成主发射台阴影区的补充覆盖。
（2）单频网。对于城区面积较大、单发射台站覆盖方式无法满足基本覆盖要求的地区，采用单频网（SFN）覆盖方式，即基于若干发射台站建成本地区单频网实现基本覆盖，覆盖阴影地区由同频转发器补充覆盖解决。在单频网覆盖方式中，节目传输分配中心通过光缆、微波等传输链路将CMMB信号传输分配到各个发射站，各发射站的发射机采用同一频率在同一时刻发射同一节目，完成单频网的基本覆盖。
CMMB单频网络采用GPS接收机、复用器以及调制器实现系统同步。在同步实现过程中，调制器根据复用器提供的广播信道帧的起始发送时间、单频网的最大延时，以及GPS接收机为调制器提供的当前时间确定时间同步关系。
4．加密授权方式
加密授权系统对音视频流和数据广播流采用ISMACryp进行加扰，系统前端支持同密，终端采用多密，系统支持单向、双向和基于电子钱包的授权管理方式。运营支撑系统原则上采用两级架构体系，对内容统一加密，统一管理，支持公共服务、基本服务和扩展服务，实现各类终端用户的合法注册。
CMMB加密授权系统是用于对播出节目进行加密授权控制的关键系统。CMMB加密授权采用条件接收系统（CAS）和电子钱包系统两种方式进行授权控制管理。无论采用何种方式，均使用加扰器对内容进行加扰，并通过条件接收系统的授权控制信息（ECM）对加扰控制字（CW）进行加密传输。
（1）采用条件接收系统进行授权控制管理时，前端使用加扰器对内容进行加扰，授权控制信息（ECM）经复用传输至用户终端；用户终端收到CAS根据BOSS要求生成的授权管理信息（EMM）后，对内容进行解密解扰操作后播放。
（2）采用电子钱包系统进行授权控制管理时，前端使用加扰器对内容进行加扰，授权控制信息（ECM）和产品信息经复用传输至用户终端；用户终端根据产品信息及电子钱包余额判断是否可以获得授权。如可获得授权，终端扣除电子钱包相应费用后，通过条件接收模块对内容进行解密解扰操作后播放。
5．授权与收费
CMMB采用产品包的方式向用户提供服务。CMMB的产品包主要分为公益包、基本包和扩展包。在CMMB向用户提供的服务中，公益包是向用户无偿提供的公益类CMMB服务，不向用户收取服务费用。基本包和扩展包则是向用户有偿提供的CMMB服务，根据用户的订购选择收取一定费用，为有偿服务。CMMB的收费方式由CMMB运营商确定，具体方式在CMMB进入正式运营时公布。
现在CMMB接收器件价格，只需要100元左右。CMMB是统一的技术标准，支持全程全网、全国漫游。根据业务的不同，各地收费可能略有不同，但没有太大差别。在正式运营后，CMMB提供部分公益类免费广播电视节目服务，合法用户可以免费收看。对于付费类业务，如果用户未缴纳应付服务费，CMMB的加密授权系统将会取消该用户收看该节目的授权，从而确保正常缴费用户的权益。
2008年为试验播出阶段，在试播期间提供免费的广播电视节目。CMMB在2009年正式运营后，节目将加密播出。对于公益类服务，只要用户办理了合法的入网手续即可得到免费服务，对于付费类服务，用户需办理相关的订购手续。
三、发展思路
目前，CMMB正在全国189个城市试验播出，有些城市已经开始商业运营。新余市CMMB工程作为地级市第一期工程建设已于去年底完成，频道DS46。试验结果表明：CMMB传输、发射、覆盖、接收试验效果良好，信号稳定、图像清晰、画面流畅。通过广电系统与科技界、产业界的共同努力，通过规模试验和服务奥运，CMMB的技术先进性、经济合理性和服务便捷性都得到了充分的展现和验证，为CMMB产业运作奠定了良好基础。
对现在的媒体格局，CMMB不会产生多大的影响，甚至对传统电视也不会太大影响，它只能作为电视媒体的补充手段而出现。CMMB技术开发项目一开始就得到中央领导高度重视，明确批示要把CMMB作为自主知识产权的重大项目来做，广电总局也是一直按照这个要求来做的。广电总局关于CMMB发展的基本思路是：一要坚持统一标准、全国漫游，保证用户在全国任何地方都能随时随地享受到广播电视服务；二要坚持统一平台、统一运营，努力培育带动全国广电产业发展的龙头企业；三要坚持内容与载体、经济效益与社会效益相结合，既确保安全播出和政令畅通，又不断满足人民群众多方面的精神文化和信息需求；四要坚持利用现有资源、发挥系统优势，防止重复建设和资源浪费，以较短的时间、较低的成本，迅速在全国形成规模；五要坚持开放合作、共享共赢，充分调动各方面的积极性和主动性，形成利益共享、风险共担、联合发展的格局。
四、结束语
CMMB是我国科技创新的重大成果，是推动我国信息数字化快速发展的一个重要领域。CMMB作为新媒体发展的一个重要代表，其发展为建立以技术自主创新为基础的电子信息产业发展奠定坚定基础，又可以为媒体服务业的发展拓展全新空间。CMMB已经成为拉动我国消费电子市场一股重要的力量。据不完全调查，目前我国带显示屏的消费电子产品生产企业中，有82%的企业已经开始生产CMMB终端。在我国开展CMMB业务，用户数量预计会超过1.5亿，按照每个终端1000元计算，1.5亿用户购买终端可带来1500亿元的直接消费市场。随着CMMB覆盖网的建设，将会逐渐形成更大规模的用户终端市场，进一步推动我国消费电子产品制造业的发展，拉动我国消费内需。
